三大内存公司下一代宽带内存竞争激烈，韩国定于上半年量产

三星电子近日宣布，已成功开发出业界首款采用12层堆叠技术的36GB高带宽内存（HBM）DRAM。 24吉比
通过在DRAM芯片中使用硅通孔（TSV），我们实现了12层堆叠HBM3E（第五代HBM）12H（12层堆叠）。
该公司将于今年1月至6月开始批量生产该产品。它计划与此前决定供货的8层堆叠HBM3E 8H一起供货。
占据DRAM市场较大份额的三星电子、SK海力士、美国美光预计最早将于3月份加速其尖端HBM3E产品的开发和量产。
美光在其网站上宣布已开始量产HBM3E。 24GB HBM3E 8H（8层堆叠）产品将于4月至6月期间从美国半导体大学发货。
据说它被安装在NVIDIA的图像处理半导体（GPU）“H200”中。另一方面，SK海力士表示：“HBM3E
8H'于一月开始量产。 12层堆叠产品符合半导体器件的JEDEC标准。
它将与 8 层层压产品的高度相同。”业界预计HBM4将于2026年左右正式量产。