韩国报道称，在宽带内存领域苦苦挣扎的三星电子可能会与台积电合作

韩国主要半导体公司 SK 海力士已完成 2025 年之前的宽带存储器 (HBM) 订单接收。业界预计该公司明年也将保持在 HBM 市场的领先地位。
与此同时，三星电子宣布“8层和12层HBM3E均已投入量产。”然而，由于7-9月供应量落后于最初的预测，我们在HBM市场的份额很难扩大。
这是一个不清楚的情况。 三星电子用于制造 HBM3E 的 14 纳米级 (1a) DRAM 的性能据说不如 SK 海力士。对于这款三星
据说 Denshi 正在为 HBM 生产重新设计 1a DRAM。 因此，有可能与主要代工厂（半导体代工）台积电（TSMC）合作。
。到目前为止，三星电子一直强调一站式解决方案，提供从设计到内存再到代工（合同半导体制造）的一切。 HBM 封装底部
该公司原计划在内部制造基础模具，但这一政策已经改变。如今一直保持市场第一地位的内存业务陷入危机，为了克服这一点，HBM
经研究决定，有必要提升公司技术能力。合作有可能不仅在基础芯片领域，而且在台积电被认为具有优势的封装领域也有可能推进。