三星电子担心韩国 DRAM 技术泄露的影响

非法使用韩国核心国家技术在中国开发DRAM的中国半导体公司开发部长等3人在韩国被逮捕并提起诉讼。
首尔中央地方检察厅信息技术刑事侦查部1日表示，三星电子的国家核心技术——18纳米级D
中国半导体制造商长鑫春川科技股份有限公司（CXMT）宣布，已逮捕并起诉包括开发经理在内的三人，涉嫌向中国非法泄露 RAM 工艺流程。
被捕并被起诉的嫌疑人是杨某，他曾任三星电子高管、长鑫存储第二期开发部部长。
该公司是中国地方政府投资2.6万亿韩元（约合2726亿日元）设立的中国首家DRAM半导体制造商。
去年1月，警方逮捕并起诉了三星电子前部门经理兼CXMT第一开发部部长，今年5月，该公司前研究员兼员工也因类似罪名被逮捕并起诉。
据检察机关调查，长鑫存储成立之初就曾挖角两名三星电子前员工，目的是掌握国家核心技术，挖走核心人才。
经查，长鑫存储第一开发部部长通过三星电子前员工非法获取了国家关键技术DRAM制程的情报。
他们介绍的技术是最新的10纳米DRAM工艺技术，该技术是三星电子在全球首次投资1.6万亿韩元（约合1677亿日元）开发的。
此次被起诉的三人涉嫌接收泄露文件、拆卸三星电子产品以验证其技术内容并重复制造测试。
2023年，长鑫存储成为中国第一家、全球第四家成功量产18纳米DRAM的企业。
据悉，被捕并被起诉的三名三星电子前高管在四至六年的时间里从长鑫存储公司收受了总计100万日元的贿赂。
他承诺的薪水为 5 亿至 30 亿韩元（约合 1.4 亿至 2.8 亿日元），相当于他在三星电子年薪的三到五倍。
检方指出，三星电子因该案遭受的损失将是巨大的，仅去年一年的销售损失就估计达5万亿韩元。
（约5244亿日元），未来损失预计达到数十万亿韩元（数万亿日元），被称为“史上最严重的技术泄密事件”。